마이크론의 CEO인 Sanjay Mehrotra는 HBM 메모리가 웨이퍼를 많이 소모한다고 밝혔습니다.
https://investors.micron.com/static-files/1a8d6c22-3b89-4806-930c-d30cbcd270d5
동일 공정, 동일 용량에서 HBM3E 메모리는 DDR5보다 3배 많은 웨이퍼를 쓴다네요. HBM 메모리는 TSV를 써서 DRAM 메모리 칩의 여러 레이어를 연결해야 합니다. 이렇게 연결된 레이어 중 한 층이라도 결함이 나오면 적층한 HBM 전체를 다 버려야 합니다. 그래서 HBM의 수율이 기존 메모리의 2/3에 불과합니다.
그리고 HBM3E 공급은 2024년 분량이 이미 다 나갔고 2025년도 대부분이 예약됐습니다.
아래는 256GB MCRDIMM입니다. 32Gb DDR5 메모리 칩 80개를 기판 양면에 부착했습니다. 전력 사용량은 20W이며, 가운데에 특수 버퍼를 넣어 2개의 랭크가 병렬로 작동하는 2개의 모듈인 것처럼 인식됩니다.
https://www.tomshardware.com/pc-components/ddr5/micron-shows-massive-256gb-ddr5-8800-memory-sticks-high-capacity-20-watt-mcrdimm-modules-for-next-generation-servers-come-in-different-flavors