현재 최신 공정은 14/16nm FinFET이며 그 다음 노드는 10nm FinFET입니다. 허나 인텔, 삼성, TSMC, AMD는 10nm를 건너 뛰고 바로 7nm로 가려 합니다. 다만 7nm의 양산이 최소 2020년은 되야 가능하며, 14nm로 5년 이상 쓰는 건 썩 좋은 선택은 아니지요.

 

그래서 글로벌 파운드리는 2019년 상반기에 12nm FD-SOI 공정을 내놓을 예정이라고 하네요. AMD는 32nm 공정 이후 SOI를 포기하고 FinFET로 전향했으나, 글로벌 파운드리는 (좀 구닥다리긴 해도) SOI 공장을 여전히 갖고 있고 IBM의 공장을 인수하기도 했지요. 이걸로 파워 8 프로세서를 만들기도 했고, 파워 9도 10nm 급 SOI를 써서 만들 거라고 합니다.

 

작년에 글로벌 파운드리는 22nm FD-SOI(줄여서 22FDX) 공정의 생산을 시작한다고 밝혔습니다. 22nm라면 16/14nm에 비해 뒤쳐져 보이지만 그래도 22nm FinFET 수준의 성능, 전력 사용량은 나온다고 하네요. 제조 원가가 28nm 수준인게 좀 그렇지만.

 

12nm FD-SOI는 줄여서 12FDXTM이라 부르며 22nm FD-SOI의 후속작으로 10nm FinfET 수준의 공정이 될 거라고 합니다. 소비 전력은 16nm와 10nm FinFET 사이 쯤. 동적 전압 조절 기능을 넣어 탄력적인 운용이 가능하고, 고성능과 고효율을 모두 잡을 수 있다네요.

 

12FDXTM은 5G, RF, 임베디드, 자동차 등의 다양한 분야에서 쓰일 것이며, 드레스덴의 Fab1에서 연구 개발 중이라고 합니다.