인텔이 IEEE EDM(International Electron Devices Meeting) 2021에서 발표한 내용입니다. 

 

하이브리드 본딩으로 10배 이상의 패키징 인터커넥트 밀도 개선, 30~50%의 트랜지스터 로직 확장, 전력/메모리 기술 혁신 등을 목표로 하고 있습니다. 

 

10미크론 미만의 범프 피치를 실현한 포베로스 다이렉트를 도입해 3D 스택 인터커넥트 밀도를 높이고, CMOS 트랜지스터를 적층해 FinFET와 리본FET 이후 더 많은 트랜지스터를 로직에 넣습니다. 또 원자 몇 개 수준의 매우 얇은 재료를 사용해 기존의 실리콘이 지닌 한계를 벗어나 트랜지스터 직접도를 높입니다. 

 

300mm 웨이퍼에 실리콘 CMOS와 GaN 전원 스위치를 통합해 CPU에 보다 빠르게, 그리고 효율적으로 전원을 공급합니다. 또 메인보드의 구성 요소를 줄여줍니다. 그리고 차세대 임베디드 DRAM 기술을 실현하는 강유전성 재료를 도입해 메모리 지연과 성능은 포입니다. 

 

고전적인 MosFET 트랜지스터를 대체하는 새로운 개념의 MESO(Magnetoelectric Spin-orbit) 트랜지스터를 도입합니다. 스위칭 나노스케일 자석을 기반으로 한 트랜지스터입니다. 한편으로는 CMOS 방식으로 만들 수 있는 양자 컴퓨팅 칩을 연구하고 있습니다.