ASML은 High-NA Twinscan EXE라는 이름의 High-NA EUV 생산 장비 가격이 3억 8천만 달러라고 밝혔습니다. 기존의 Low-NA EUV 생산 장비보다 2배 이상 비쌉니다.
ASML은 인텔과 SK 하이닉스에게서 10~20대의 High-NA EUV 장지 주문을 받았으며, 2028년까지 매년 20개씩 생산할 예정입니다.
Low-NA EUV는 13nm 해상도가 가능하지만 High-NA EUV는 8nm까지 가능합니다. 이로서 1.7배 더 작은 트랜지스터를 만들고 밀도는 3배가 오릅니다. 이걸 달성해야 더블 패터닝 없이 2025~2026년에 3nm 이하 공정에 도달할 수 있습니다.
이 장비는 무게가 150,000kg이며 250개의 상자에 담겨저 운송되며 250명의 엔지니어가 달라붙어 6달 동안 설치해야 합니다.