SK 하이닉스가 10nm 공정(1Ynm)의 8Gb DDR4 DRAM을 개발했다고 발표했습니다.
기존의 1Xnm DRAM에 비해 생산성이 20% 증가, 소비 전력은 15% 줄었습니다. 클럭은 3200Mbps.
출시는 내년 1분기부터입니다.
참고/링크 | https://www.techpowerup.com/249443/sk-hy...-ddr4-dram |
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SK 하이닉스가 10nm 공정(1Ynm)의 8Gb DDR4 DRAM을 개발했다고 발표했습니다.
기존의 1Xnm DRAM에 비해 생산성이 20% 증가, 소비 전력은 15% 줄었습니다. 클럭은 3200Mbps.
출시는 내년 1분기부터입니다.