마이크론이 VLSI에서 DRAM과 3D 낸드 개발 상황에 대해 설명했습니다.
20nm 미만의 미세 가공을 사용하는 최첨단 DRAM은 1X부터 시작하고, 여기서 더 미세화한 1Y 세대의 DRAM 개발을 끝냈습니다. 중요 고객들에게 샘플을 보내 인증을 받으면 양산에 들어갈 예정. 그 다음은 1Z입니다. 실리콘 다이를 개발 중이며 웨이퍼 프로세스 최적화를 진행 중.
다음은 0X 세대. 10nm 이하인데 구체적으로는 1a, 1b 같은 식으로 부릅니다. 알파하고 베타인데 일일이 입력하기 귀찮네요.
낸드 플래시는 96층 3D 낸드 플래시 기술로 512Gbit 낸드 플래시 메모리를 개발했습니다. 동일 용량 중에선 다이 면적이 가장 작은데 구체적인 수치는 공개하지 않았습니다.
96층 3D 낸드는 3세대 기술로 개발했습니다. 2세대는 64층, 1세대는 32층. 2세대 64층 3D 낸드는 32층 모듈을 2개 스택한 구조입니다. 3세대 96층은 48층 모듈을 2개 스택했습니다. 3D 플래시 메모리의 생산은 엄청난 수의 작고 긴 구멍을 에칭으로 균일하게 형성해야 합니다. 한번 에칭으로 제조할 수 있는 층 수는 64층 정도가 한계인 듯.
4세대 3D 낸드 기술에선 3세대 대비 쓰기 처리량이 30% 향상되고 1비트 기록 에너지가 40% 줄어듭니다. 구체적인 층 수는 밝히지 않았으나 128층 이상일 듯. 또 QLC 64층 3D 낸드 플래시 기술로 1Tbit 실리콘 다이를 개발해 양산을 시작했습니다.
GDDR6도 지금 개발하고 있네요.