삼성전자는 앞으로 몇 년 동안 8, 7, 6, 5, 4nm FinFET 공정까지 내놓을 계획을 갖고 있습니다. 2020년이 되면 4nm에 도달하지요. 좀 더 자세히 볼까요?
8nm Low Power Plus: EUV 기술을 도입하기 이전의 공정 중 가장 경쟁력이 있는 공정입니다. 10nm 공정을 기반으로 개선한 것이며 8nm LPP는 더 높은 성능과 더 높은 밀도의 트랜지스터에 맞습니다. 이 기술은 기존 공정을 조금만 개선해서 만들 수 있으며 올해 말에 시험 생산에 들어갑니다.
7nm Low Power Plus: 이 공정은 아주 큰 변화가 있다고 할 수 있습니다. 마침내 EUV가 여기에 들어가거든요. EUV가 이때쯤 성숙된다는 말이기도 하죠. 이 노드에서 삼성은 세계 유일의 EUV 노광 기기 회사인 ASML과 긴밀하게 협조해 EUV 기술을 도입해 칩을 생산합니다. 삼성이 EUV 공정을 도입하는 건 인텔과 마찬가지로 7nm이며, 이때를 시작으로 모두 EUV를 쓰게 됩니다. 연구 개발과 시험 생산은 2018년.
6nm Low Power Plus: 2019년에 나옵니다. 7nm를 개선한 것으로 전력 사용량을 더 낮춥니다.
5nm Low Power Plus: 6nm를 한번 더 개선해서 5nm 수준으로 줄인 것입니다. 전력 사용량도 더 줄어들고 FinFET의 물리 구조를 확장합니다.
4nm Low Power Plus: 여기에선 멀티브릿지 채널 FET, 줄여서 MBCFET라는 새로운 구조를 도입합니다. MBCFET는 삼성의 독자 기술로서 GAAFET(게이트 올 어라운드 FET) 기술을 도입합니다. 실현은 2020년.
외계인 어디서잡은거지...