▶ 삼성전자, 업계 최대 용량의 'HBM' 메모리 개발
- HBM 메모리 신제품 : 12스택 HBM3E DRAM(HBM3E 12H)
- 신제품 특징 : 12스택 기반 메모리 / 고대역폭(최대 1,280GB/s) & 고용량(최고 36GB)
- 개발 설계 : 업계에서 'AI(인공지능) 서비스' 제공들이 높은 용량의 HBM 메모리를 요구하게 되서 부응하기 위해 설계함
- 메모리 공정 : 고급 발열 비전도성 필름(TC NCF) 적용('12 레이어' 제품이 '8 레이어' 제품과 동일한 높이 사양을 갖도록 하여 요구 사항을 충족)
- 메모리 제품의 수율 향상 : 'TC NCF' 반도체 사이에 다양한 크기의 범프를 사용하여 'HBM 발열 특성'을 향상
(반도체 본딩 과정에서 신호 전달을 위한 영역은 작은 범프가 사용되고, 방열이 필요한 곳에는 큰 범프가 배치됨)
- AI(인공지능) 애플리케이션의 활용 대비 향상 : 'HBM3 8H' 적용 대비 비교 → AI 훈련 속도 향상(평균 34%), 추론 서비스 이용자 증가(11.5배)
※ 이전 제품(8H HBM3) 메모리 비교 대비 50% 개선