삼성이 차세대 HBM에서 NCF 대신 MUF 방식을 도입한다는 썰입니다.

 

스샷 한장만 올립니다. 전체 내용은 유튜브에서. https://www.youtube.com/watch?v=c47cDYbAwVY&t=1601s

 

단순히 SK 하이닉스가 HBM에 주력하고 삼성전자가 GDDR 위주로 만들어서 지금 같은 격차가 생겼다기보다는, 이런 것처럼 공정이나 노하우에서 은근히 차이가 나는 것도 한몫 한다고 생각하는 게 맞을 것 같네요.  

 

요새 이것저것 찾으면서 느낀건데, 국내외를 막론하고 애널리스트들이 이렇게 푸는 썰들 중에 상당히 기술적인 게 많더라고요.