삼성전자는 내년에 본격 양산할 9세대 300단 이상 V낸드 칩에도 ‘더블스택’ 기술을 적용한다. 더블스택 기술은 낸드플래시를 두 번에 나눠 제작한 뒤 결합하는 방법이다. 삼성전자는 7세대 176단 V낸드부터 더블스택을 적용했다.
경쟁사인 SK하이닉스는 최근 2025년 양산 예정인 321단 낸드플래시 샘플 칩을 업계 1위 삼성전자보다 먼저 공개하면서 업계를 깜짝 놀라게 했다. 다만 삼성전자와 달리 이 칩은 각기 다른 세 개의 칩을 만든 뒤 세로로 잇는 ‘트리플스택’ 방식이 적용된 것으로 알려졌다. 이를테면 120단·110단·91단 낸드를 따로 만들어 하나의 칩으로 이어 붙이는 것이다.
더블스택과 트리플스택의 차이는 크다. 특히 생산성과 원가에서 확실한 차이를 보인다. 두 번의 결합 방식으로 칩을 만들 때가 세 번에 걸쳐 제작할 때보다 공정 수와 각종 원자재 가격에서 압도적 우위를 차지할 수 있기 때문이다.
출처 : https://www.sedaily.com/NewsView/29TELI3W8D
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소식
2023.08.20 10:12
삼성 '낸드 초격차' 고삐…300단, 두번 쌓아 만든다
조회 수 1142
댓글 8
참고/링크 | https://www.sedaily.com/NewsView/29TELI3W8D |
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일단 2번 나누어 뚫는 것부터 그만큼 홀의 직경이 커지니.. 이번에 TEL에서 나온 HARC장비 도입이 아닌 이상 2번에 뚫는 게 원가절감이 잘될거라고는 모르겠네요
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요즘 삼성의 판단력과 기술력이 우려스럽더군요.
200단 1스택으로 달성하려다 수년을 날려먹고
결국 gg 치고 2스택으로 갔는데
이번엔 과연 성공할 수 있을지... -
또 8세대 더블스택 256단 못나온거 봐서는 아직도 뻘짓하는거 맞습니다
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아!!!싱글스택GG!!!
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만들어서 붙이는 게 아니라 에치를 두번 세번 나눠서 하는건데...
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그렇죠. 말씀대로 만들어서 붙이는 건 mcm 공정이죠.
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?
주식조작 경제언론(?)지라서 믿으면;;
작성된지 4주일이 지난 글에는 새 코멘트를 달 수 없습니다.
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답문이 왜 안 오나 싶었더니 스팸 메일함에 들어가 있더군요. 이미지를 넣어 보내 그런지. 참고 자료용으로 글 작성합니다.
300단을 더블로 할려면 최소한 싱글로 150단 이상 쌓아야 하는데 삼,하,마,기타 중국 등등 다 따져도 삼성의 128단이 싱글로만 봣을땐 최선단이고
6세대 싱글스택 128단 업계유일 달성한 삼성이 삼성7세대 8세대 마져도 256단 바로 못튀어나오는거 보면 단순하게 두개 이어붙이면 끝 나는 수준이 아닌거 같네요(당시 뉴스 언플로 이어붙이면 끝나니 256단 금방나와 초격차 달성 가능하다 개소리 도 보았죠 )
삼성도 300단 부터는 트리플스택 가는게 좋을거 같은데요. 나머지는 쿼드스택 간보던데 거이 동일한 단수에 스택차이만 나도 원가 절감효과는 나타납니다.