글로벌 파운드리는 자신들의 14nm FinFET 공정으로 제조되는 ASIC 제조 서비스, FX-14에 적용 가능한 2.5D 회로 적층 패키징 기술을 시연했습니다. 여러 DRAM 다이를 적층해 특수 인터페이스 프로세스와 더 높은 대역폭으로 연결할 수 있습니다. 

 

HBM은 기존 DRAM의 부족한 대역폭을 해결하기 위해 다이를 적층합니다. SoC나 CPU에 직접 DRAM을 적층하는 3D 스태킹과, 다이사이를 연결하는 인터포저 보드에 메모리나 SoC를 배치하는  2.5D 스택킹 기술이 있습니다. 

 

이번에 글로벌 파운드리가 발표한 건 기존 리소그래피 기술의 한계를 돌파하는 인터포저 연결 기술로, 전송 속도가 2Tbps 이상의 멀티레인 HBM2 PHY 물리 계층을 포함한 14nm FinFET 2.5D ASIC 솔루션입니다. 

 

HBM2의 PHY는 램버스와 협력해 가발했으며 JEDEC의 스펙을 완벽 준수합니다. PHY는 8개의 독립된 채널이 있으며 각각 128비트로 총 1024비트 버스 폭에, DRAM 다이는 8/4/2개 적층이 가능합니다.

 

앞으로 글로벌 파운드리는 자사의 7nm FinFET 공정을 사용하는 ASIC 제조 기술에도 이런 패키징 기술을 적용할 예정입니다.