인텔이 L4 캐시에 2MB 용량의 스핀 주입 자기 랜덤 액세스 메모리(STT-MRAM)을 넣는 연구를 발표했습니다. 

 

STT-MRAM은 하나의 자기 접합과 하나의 트랜지스터로 구성되는 비휘발성 메모리로, 표준 CMOS 기술로 제조 가능하며 속도가 빠르고 내구성이 우수합니다. 지금까지는 오프 칩 임베디드 비휘발성 메모리로 써 왔습니다. 

 

L4 캐시는 L3 캐시보다 느리지만 용량이 더 큽니다. 인텔은 20nm의 쓰기 시간, 4ns의 읽기 시간, 1012 사이클의 내구성, 섭씨 110도에서 1초 동안의 메모리 저장을 확인했으며, 비트 에러는 ECC로 해결될 만큼 높은 수준이었다고 합니다. 

 

STT-MRAM을 L4 캐시에 쓰기 위해 비트 셀을 줄이고 자기 접합을 확장하며 최대 쓰기 전류를 줄였습니다. 호스트 릿지 칩에 사용한 인텔 22FFL 공정으로 제조했을 가능성이 있습니다.