삼성이 올해 하반기부터 7nm EUV 공정을 양산하고, 2021년부터는 3nm GAA 공정을 생산합니다. 

 

삼성은 2002년부터 줄곧 GAA(Gate-All-Around) 기술을 개발해 왔습니다. 그리고 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)를 만들어 내 트랜지스터 성능을 높여 왔습니다. 

 

작년 말에 삼성은 2020년부터 4nm GAA를 쓴다고 밝혔습니다. 2022년 전에 GAA 양산이 가능하냐는 시각도 있었는데, 지금은 5/4nm FinFET EUV에 GAA는 3nm로 시기가 조정된 듯 합니다. 

 

 

작년 12월 IEDM에서 삼성은 3nm 공정의 성능 검증을 마쳤고, 이를 개선해 2020년에 대규모 양산할 예정입니다. 3nm GAA는 지금 이야기하기엔 좀 먼 감이 있고, 지금 당장은 7nm 공정이 올해 안에 양산이 되느냐겠네요. 

 

TSMC도 올해 7nm EUV를 양산한다고 밝힌 바 있습니다.