SK 하이닉스가 CTF (Charge Trap Flash) 기술을 사용해 96단 적층을 실현한 512Gb TLC 낸드 플래시 메모리인 CTF-based 4D NAND Flash를 출시합니다.
현재 널리 쓰이는 방식인 플로팅 게이트 대신, 구조가 간단하고 미세화를 더 진행할 수 있는 차지드 트랩 플래시를 메모리 셀에 사용, 적층 수를 늘렸습니다.
기존의 72단 512Gb 3D TLC 낸드와 비교하면 칩 크기는 30% 줄었고, 웨이퍼 생산성은 49% 높입니다. 쓰기 속도는 30%, 읽기 속도는 25% 향상, 1.2V 전압으로 1200Mbps 구동.
올해 안에 클라이언트 시장으로 1TB SSD를 출시, 내년 후반기에 엔터프라이즈 시장에 진출. 내년에는 96단 1Tb TLC/QLC 메모리로 내놓을 예정입니다.