SK 하이닉스는 작년 8월에 238단 4D 낸드 플래시 메모리를 개발했습니다. 그리고 이번에는 8세대 3D 낸드 플래시 메모리의 개발을 공개했습니다.
여기에선 1제곱mm당 20Gb의 밀도를 달성, 1Tb(128GB)의 용량을 만들어내는 300개 이상의 레이어로 구성됩니다. 기존의 238단보다 처리량이 18% 빨라져 194MB/s까지 올라갑니다.
셀 임계 전압 분포를 좁히고 프로그램 시간을 줄였으며, 읽기에 걸리는 시간을 줄이는 새로운 올 패스 라이징, 채널 캐패시턴스 부하를 줄이는 PDS 기술 등이 여기에 적용됐습니다.