네오 반도체가 세계 최초의 3D 낸드 DRAM 셀 어레이인 3D X-DRAM 기술을 발표했습니다. 

 

캐패시터리스 플로팅 바디 셀 기술을 써서 3D 낸드와 비슷하게 DRAM 셀 구조를 구축했습니다. 3D 낸드와 같은 공정으로 생산하며, 비트라인의 구멍을 정의해서 셀 구조를 형성하는데 1개의 마스크만 있으면 됩니다. 그래서 공정이 간단하고 저렴하며 빠릅니다. 230단으로 128Gb의 밀도를 만들 수 있는데 현대 DRAM의 8배입니다.