삼성이 삼성 테크 데이 2022에서 앞으로 10년 동안 내놓을 반도체 솔루션을 공개했습니다.

 

5G 모뎀인 엑시노스 모뎀 5300, 자동차용 프로세서인 엑시노스 오토 V920, QD OLED DDI, 그리고 픽셀 크기가 0.56마이크로미터인 2억 화소 아이소셀 HP3, 4nm 공정으로 만든 엑시노스 2200을 공개했...지만 뒤에 두개는 이미 발표한 거고요. 현장에선 2억 화소로 촬영한 사진의 화질을 강조하고 지문 센서와 보안 장치를 결합한 생체 결제 카드용 지문 보안 칩의 동작을 시연했습니다. 

 

여기서부터가 본론인데 삼성은 5세대 10nm급(1b) DRAM과 8세대와 9세대 수직 낸드(V-NAND)를 공개했습니다. 이 디램 메모리는 2023년 양산을 목표로 개발 중이며, 10nm급을 넘어서 디램 스케일링을 위해 하이K 재료를 도입하려 합니다. 

 

그리고 데이터센터, HPC, 모바일, 게임, 자동차 시장을 위해 32Gb DDR5 DRAM, 8.5Gbps LPDDR5X DRAM, 36Gbps GDDR7 DRAM 등을 개발 중이라고 밝혔습니다. 또 DRAM 이상의 대역폭을 위해 HBM-PIM, AXDIMM, CXL 같은 커스텀 솔루션이 중요하다고 강조했습니다. 

 

삼성의 V 낸드 공정은 최신 512GB 8세대 제품에서 비트 저장 밀도가 42% 향상돼 512Gb TLC 중에 최고의 저장 밀도를 달성했습니다. 연말까지는 그 용량을 1Tb로 늘릴 예정입니다. 또 9세대 V 낸드가 개발 중이며 2024년에 양산됩니다. 2030년까지는 1000개 이상의 레이어를 적층해 용량을 늘립니다. 또 QLC로 전환을 가속화해 전력 효율과 저장 밀도를 높일 것입니다.