키옥시아와 웨스턴 디지털이 162단의 적층을 실현한 6세대 3D 플래시 메모리 기술을 개발했다고 발표했습니다.
112단 적층의 5세대와 비교하면 평면 셀 어레이 밀도는 10% 늘었고, 적층 수가 늘어나면서 다이 크기는 40% 줄어들고, 웨이퍼 당 생산 용량은 70% 늘었습니다.
또 Circuit Under Array CMOS 배치 기술을 통해 쓰기 성능이 2.4배 개선됐으며 읽기 대기 시간은 10% 감소, I/O 성능은 66% 향상됐습니다.