이번에 개발 한 TMR 소자 단면의 전자 현미경 사진

　

 국립 개발 연구소인 산업기술종합연구소 스핀트로닉스 연구 센터는 20 일, 단결정 산화 갈륨 (Ga2O3)의 반도체를 터널 장벽층으로 한 단결정로만 이루어진 터널 자기 저항 (TMR) 소자를 개발 했다고 발표했습니다.

 

　컴퓨터의 대기 전력의 절감이 필수적이지만, 전원 차단 시에는 정보가 사라지는 현재 주류의 휘발성 메모리에서 감소시키기가 기술적으로 어렵습니다. 따라서 전원을 끄면 내용이 유실되지 않는 비 발성의 FET(전계 효과 트랜지스터)가 요구되고 있으며, 전자 스핀을 이용하여 기억하는 '스핀 FET "이 각광받고 있으며 세계적으로 연구가 진행되고 있습니다.

 

　산업 기술 종합 연구소가 개발한 TMR소자는 자체 개발한 단결정 산화 갈륨 (Ga2O3)의 증착 공정을 이용하여 만들어져 일반적으로 실온에서 거의 제로가 되어 버리는 자기 저항 변화율(MR비)이 92%로 매우 높은 것이 특징입니다. 수직 스핀 FET를 기본 구조로 하고 있으며, 대기 전력 제로 '노마리 오프 컴퓨터 "에 대한 공헌이 기대된다고 합니다.

 

　앞으로 더욱 MR비의 향상을 도모함과 동시에 단결정 산화 갈륨 막이 전계를 걸어 출력 전류를 제어하는​​ 게이트 구조의 설계 및 동작 검증을 하고, 5년 후를 목표로 실용적인 성능의 세로 형태 스핀 FET를 개발하고 있습니다.

 

                               

                                                     이번에 개발 한 단결정 Ga2O3 막 제조 방법

                                                   

                                                        반도체 장벽 층의 TMR 소자의 실온에서의 MR 비율의 비교