IBM 취리히와 독일 RTWH Aachen 대학의 연구팀은 안티몬 유리 단일 원자를 재료로 한 새로운 비휘발성 상변화 메모리를 개발했습니다.
기존의 상변화 메모리 재료와 다르게 안티몬 원소 단 하나만 사용합니다. 서로 다른 재료를 혼합해서 사용하는 상변화 메모리는 불순물이 섞이고, 그 비율에 따라서 수율을 떨어트리기에 제조가 어렵다는 단점이 있습니다.
새로운 안티몬 재료 메모리에선 3~10nm 두께의 순수한 안티몬 막을 기반으로 삼아 40~200nm 두께의 실리콘 층 사이에 넣습니다. 프로토타입은 50ns(20MHz)의 스위칭 속도를 달성했습니다. DRAM으로 만드려면 10ns는 되야 하지만 앞으로 나아질 거라 보는 듯.
현재 가장 큰 문제점은 안티몬이 유리 상태일 때 수명이 높지 않다는 것입니다. 60~70도의 그리 높지 않은 온도에서 100초밖에 버티지 못하거든요. 물론 이것도 다른 방법을 찾아낼 것입니다.
이런 소식을 볼 때마다 생각하는 거지만, IBM이 은근히 신기술 개발에서 이름을 드러내네요.