이건 삼성의 2TB 포터블 SSD인 T3입니다. 여기에는 삼성의 3D V-NAND TLC 낸드 플래시 메모리가 들어 있는데요.

 

 

기판 앞뒷면에 총 4개의 칩이 붙어 있는데 칩 한개의 용량은 512GB, 16개의 48층 적층 3D V-NAND 플래시 메모리가 붙어 있습니다.

 

 

전자 현미경으로 옆에서 본 사진입니다. 각 칩의 두께는 40미크론밖에 안되는데, 현재 나온 패키징 중 가장 얇습니다. 이전 세대인 32층 3D V-NAND는 100미크론이었지요.

 

R9 퓨리 X에 쓰인 HBM은 두께 50미크론, 삼성 TSV DDR4 DRAM은 55미크론입니다. 40미크론은 300mm 웨이퍼에서 캐리어 웨이퍼를 쓰지 않고 도달할 수 있는 극한의 두께라네요.

 

 

 

256Gb 칩 하나만 놓고 봅시다. 5.9x5.9미크론의 플래시 뱅크 2개가 있고, 저장 밀도는 1제곱mm당 2600MB입니다. 이것은 21nm 공정으로 만들었는데요. 삼성의 16nm 공정 낸드가 740MB밖에 안 되는 것과 비교하면 상당히 크지요.

 

 

 

각각의 낸드 플레시 어레이를 SEM 전자 현미경으로 관찰했는데요. 55개의 층을 볼 수 있습니다. 48개의 낸드 유닛, 4개의 가상 레벨, 2개의 SSL, 1개의 GSL.

 

 

V-NAND 가장 윗부분을 더 높은 배율로 확대

 

 

삼성 32층 V-NAND와 비교