삼성이 2022년에 나올 3nm 공정을 위해 새로운 멀티 브릿지 채널 FET 기술인 MBCFET을 도입합니다.
GAAFET에 기반한 기술로 전력 사용량은 50% 절감하고, 성능은 30% 향상됩니다. 실리콘의 크기도 45% 줄어들 것으로 기대됩니다. 트랜지스터를 작은 공간에 더 많이 쌓을 수 있거든요.
참고/링크 | https://www.hardwareluxx.de/index.php/ne...chnik.html |
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삼성이 2022년에 나올 3nm 공정을 위해 새로운 멀티 브릿지 채널 FET 기술인 MBCFET을 도입합니다.
GAAFET에 기반한 기술로 전력 사용량은 50% 절감하고, 성능은 30% 향상됩니다. 실리콘의 크기도 45% 줄어들 것으로 기대됩니다. 트랜지스터를 작은 공간에 더 많이 쌓을 수 있거든요.