제조 공정이 미세화되면 트랜지스터의 성능을 높일 수 있으나, 인터커넥트 배선에서는 썩 반갑지 않습니다. 와이어의 두께가 작아지면 전기 저항이 늘어나 성능이 떨어지며 전력 소비량이 늘어납니다. 배선의 재료를 바꾸지 않는다면 인터커넥트의 저항은 7nm에서 3nm로 가면서 10배가 늘어납니다. 이러면 공정 미세화의 의미가 없지요.

 

Applied Materials는 Endura Copper Barrier Seed IMS라는 새로운 재료를 개발했습니다. 표면 처리, 인터페이스 엔지니어링, ALD 점착, 구리 리플로우 등의 7가지 기술을 결합한 솔루션입니다. 특히 ALD를 컨포멀에서 선택식으로 바꿔 저항을 줄입니다. 또 구리 리플로우는 빈 공간 없이 간격을 채워줍니다. 이렇게 해서 전기 저항을 50%까지 줄이고 성능을 개선해 3nm 이상 공정까지도 가능할 거라고 합니다.