삼성전자는 다음 주 중 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정의 양산을 공식 발표할 것으로 알려졌다.

GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술이다.

 

그동안 업계에서는 삼성전자가 수율(결함이 없는 합격품의 비율) 문제로 3나노 양산을 연기하는 것이 아니냐는 관측이 나왔다. 실제로 삼성전자는 올 초에도 초미세 공정 파운드리 수율 문제로 주요 고객사가 이탈하는 등 진통을 겪어왔다.