24일 SK실트론에 따르면 지난 6월 10나노급 4세대(1a) D램용 폴리시드 웨이퍼 개발을 완료했다. 하반기 들어 삼성전자, SK하이닉스 등에 공급 중이다.
이번에 SK실트론이 개발 및 양산한 웨이퍼는 최신 D램용이다. D램은 10나노미터(nm)대부터 회로 간 선폭에 따라 세대를 구분하고 있다. ▲1x ▲1y ▲1z ▲1a 순으로 이어지고 있다. 1a의 경우 삼성전자는 14.0nm, SK하이닉스 등은 14.Xnm를 의미한다.
성전자와 SK하이닉스는 1a D램에 극자외선(EUV) 공정을 도입하기도 했다. EUV는 차세대 노광기술로 전용 장비는 네덜란드 ASML이 독점한다. EUV를 적용하면 미세공정 구현에 유리하다. 반도체 수탁생산(파운드리) 분야에서 사용되다가 메모리 업계도 투입하는 추세다. 현재 삼성전자는 4개 레이어, SK하이닉스는 1개 레이어를 EUV로 노광하는 것으로 전해진다.
8월 말 뉴스인데 중국 사이트에 이제 뜬 것을, 한국 뉴스 찾아서 올립니다.