퍼듀 대학의 연구팀은 실리콘 기반 반도체의 수명을 늘려줄 차세대 트랜지스터인 CasFET(Cascade Field Effect Transistor를 만들었습니다. 

 

기존의 트랜지스터는 On 전류가 높아야 하고 Off 전류는 낮아야 하며, 이 둘 사이를 쉽게 전환할 수 있어야 했습니다. 이것 때문에 트랜지스터의 크기를 줄이기가 어려워졌지요. 삼성은 3nm에 GAAFET를 도입해 FinFET를 대체하지만, 그것도 오래 가진 않을 겁니다.

 

CasFET는 트랜지스터의 전송 방향을 수직으로 배치한 초격자 구조를 도입, 마치 폭포처럼 쏟아지는 형태를 만듭니다. 그래서 캐스케이드라고 하지요. 이는 양자 캐스케이드 레이저에서 학습한 효과를 도입한 것으로 더욱 미세한 전압 제어가 가능해집니다. 

 

현재 CasFET의 프로토타입을 개발 중이며, 이를 실현할 마땅한 재료를 찾고 있습니다. 어느 정도의 성능을 내는지는 공개하지 않았으나 일단 특허는 출원했습니다.