28일 업계에 따르면 삼성전자가 개발 중인 후면전력공급 기술이 초기 단계에서 목표치를 뛰어넘는 지표를 달성한 것으로 확인됐다. 삼성전자는 2개의 서로 다른 ARM 코어를 사용해 칩 면적을 각각 10%, 19% 줄였으며, 칩 성능과 주파수 효율 등을 한자릿수 수준으로 향상하는데 성공했다.
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삼성전자가 개발 초기부터 목표 지표를 뛰어넘는 결과를 내놓으면서 당초 2027년쯤으로 예정된 상용화 시점도 앞당겨질 가능성이 높다. 앞서 일각에선 삼성전자가 1.7나노 공정부터 후면전력공급 기술을 도입할 것으로 알려졌지만, 로드맵을 수정하고 이르면 2나노 공정 양산이 시작되는 내년부터 해당 기술을 도입할 것으로 관측된다.
그리고 BSPDN 최초계획도 sf2p에서 도입한다고 하기도 했고요