중국 SMIC가 7nm 급의 공정인 N+1 노드를 올해 4분기에 가동할 계획을 세웠습니다.
N+1 노드는 SMIC의 14nm FinFET 공정에 비해 성능이 20%, 소비 전력이 57%, 로직 영역이 63%, SoC 영역이 55% 개선되는 효과가 있습니다.
N+1 노드와 그 후속 모델은 EUV를 사용하지 않습니다. 이후 공정에서나 EUV를 도입할 듯 합니다.
참고/링크 | https://cntechpost.com/2020/02/27/smic-7...ced-in-q4/ |
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중국 SMIC가 7nm 급의 공정인 N+1 노드를 올해 4분기에 가동할 계획을 세웠습니다.
N+1 노드는 SMIC의 14nm FinFET 공정에 비해 성능이 20%, 소비 전력이 57%, 로직 영역이 63%, SoC 영역이 55% 개선되는 효과가 있습니다.
N+1 노드와 그 후속 모델은 EUV를 사용하지 않습니다. 이후 공정에서나 EUV를 도입할 듯 합니다.