삼성은 지난주에 일본에서 열린 파운드리 포럼에서 3nm 공정이 내년에 완성된다고 밝혔습니다.
3nm 노드에서는 FinFET를 GAA-게이트 어라운드-로 바꿉니다. 3nm가 1세대 GAA를 사용하며, 줄여서 3GAE 공정이라 부릅니다. 여기에 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)를 조합해 FinFET를 대체합니다.
MBCFET는 기존의 FinFET와 제조 설비가 호환되기에 개발과 양산 속도가 빨라지리라 기대됩니다.
3nm 공정은 7nm에 비해 다이 면적이 45% 줄어들고, 소비 전력은 50% 감소, 성능은 35% 향상됩니다.
삼성은 화성시에 S3라인 공장에서 7nm 칩을 4월부터 생산하고, 올해 안에 4nm 공정 개발을 마무리지으며, 2020년에는 3nm 공정을 완성합니다.