키오시아와 샌디스크는 10세대 3D 낸드 플래시 메모리를 개발했다고 발표했습니다.
CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 본딩하는 CBA 직접 본딩 방식으로 만들었습니다. 이 기술 자체는 8세대 3D 낸드에서도 사용했지만, 이번 10세대는 4.8Gb/s의 속도를 낼 수 있는 토글 DDR6.0 표준을 사용합니다.
메모리 레이어 수가 8세대의 218개보다 38% 늘어난 322개가 됐습니다. 이로서 저장 밀도는 59% 향상됐습니다. 8비트 버스에 4.8Gb/s의 인터페이스 속도를 낸다고 가정하면 4800MT/s의 속도가 나옵니다.