인텔 파운드리 다이렉트 커넥트 이벤트에서 발표한 새로운 내용입니다.
인텔 10A(1nm 공정 수준)은 2027년 말에 생산/개발을 시작합니다. 14A(1.4nm)는 2026년부터 생산합니다. 각 노드의 개선점은 발표하지 않았으나, 새 노드가 14~15% 정도 전력/성능 개선이 있을 것이라고 발표했습니다.
인텔 4와 인텔 3 공정의 용량은 20A와 18A만큼 빠르게 늘리지 않지만, 인텔이 파운드리 사업에서 따내는 대부분의 계약은 18A에 집중되어 있습니다. 인텔은 EUV로 전환하면서 14nm, 10nm, 7nm, 12nm 생산을 줄일 예정입니다.
인텔 20A에서는 PowerVIA 후면 전원 공급, 리본FET GAA 트랜지스터를 동시에 도입합니다. 20A 웨이퍼는 꽤 오랫동안 인텔 팹에서 테스트됐으리라 보이빈다.
한편으로는 포베로스, EMIB, SIP(실리콘 포토닉스), HBI(하이브리드 본드 인터커넥트) 등의 고급 패키징 생산 능력도 공격적으로 늘릴 예정입니다. 인텔은 고급 패키징/인터커넥터를 위한 생산 용량이 없어 2023년에 표준 패키징을 사용했지만 이제 고급 패키징을 늘려나가고 있습니다.
또 AI 기반으로 완전히 자율적인 팹을 만들기 위해 노력하고 있습니다. 생산 용량 계획과 예측, 수율 개선, 현장의 생산 개선 등에 AI를 접목합니다.