TSMC는 FinFET 다음의 나노시트, 그 다음의 CFET 트랜지스터를 실험실에서 만들어 테스트 중이라고 밝혔습니다. 양산은 아직 멀었습니다.

 

GAAFET의 후속작으로서 전력 효율, 성능, 트랜지스터 밀도 등 모든 부분에서 나아진 모습을 보여줄 거라 기대합니다. 

 

TSMC는 앞으로 몇 년 동안 GAA를 사용하고, 나노시트는 2nm부터 시작해서 몇 세대 동안 계속됩니다. CFET는 그 뒤에나 등장할 겁니다.