6월에 열릴 예정인 VLSI 심포지엄에서 발표될 내용들의 예고입니다.
NXP가 IoT 기술의 보안과 개인 정보 보호, 파나소닉이 AI/로봇/IoT가 앞으로 미칠 영향, 구글은 자동 운전 기술과 반도체 기술에 대해서. 그리고 의료 분야를 염두에 둔 것도 있는데 암세포 발견 센서와 심전도 검사 프로세서가 있습니다.
삼성전자는 7nm CMOS FinFET 양산 기술을 발표합니다. 미들 오브 라인과 메탈 배선에 EUV 리소그래피를 도입해 ArF보다 마스크 수를 25% 이상 감소, 7nm 공정이 10nm보다 속도가 20% 빠르고 소비 전력은 35% 줄어듭니다.
또 퀄컴과 삼성이 10nm SoC 기술을 발표합니다. 현재 양산중인 제품으로 14nm 시절보다 실리콘 다이가 37% 줄어들고 속도가 16% 향상, 소비 전력은 30% 감소.
글로벌 파운드리와 삼성은 14nm SoC를 발표. 글로벌 파운드리가 아날로그와 고주파 성능이 높은 기술을 개발, 삼성은 모바일 디바이스에서 RF 성능을 높인 트랜지스터를 발표합니다.
고성능 프로세서에서 후지쯔는 SPARC 프로세서의 클럭 제어에 대해, 인텔은 고성능 프로세서를 위한 IVR 기술 발표, TSV 전극에 의한 솔레노이드 인덕터와 지기 코어 구성에 대해 설명합니다.
소니는 저항 변화 메모리 기술에 대해 강연합니다. 새로운 소재를 사용해 전압과 수명을 개선. 글로벌 파운드리와 에버스핀은 스핀 주입 자기 메모리에 2Xnm 기술을 사용해 40Mbit 메모리 셀 어레이를 실현했다고 하네요. 삼성은 마이크로 SoC를 포함한 로직 호환 플래시 메모리 기술을 발표.
IBM, 글로벌 파운드리, 삼성은 7nm 세대 이후의 고성능 로직을 상정한 메탈 배선 공정의 결과를 발표합니다. 또 삼성이 10nm 반도체를 상정한 2세대 배선 공정을 발표합니다.
낸드 플래시에서 삼성은 8Tbit의 대용량 메모리 기술을 발표합니다. 512Gbit 다이를 16개 적층해서 단일 패키지로 만듭니다. 전압 1.2V. TSMC는 재기록 수명 백만번의 임베디드 메모리 기술을 개발. 대만 국립 칭화 대학과 TSMC 드으이 연구팀은 읽기 액세스 시간을 2.6ns로 줄인 저항 변화 메모리 기술을 발표.
