게시판이 맞나 애매한데 공정쪽이라 하드웨어게시판을 통해 질문을 하게 되었습니다.

인덕터에 대해 공부하다가 생긴 의문인데 반도체 웨이퍼에서 gnd는 어디있는건가요?

 

인덕터설계시 보통 기생capacitor을 최소화하기 위해서 인덕터의 signal line은 M9같은 Top metal을 사용하고 있습니다.

그리고 ground는 M1같은 제일낮은 layer의 금속을 사용하구요.

 

그러면 인덕터 단면을 본다면 제일 밑에 substrate가 있을거고 그위에 M1 ground가 있고 그위에 유전체가 있다가 M9 인덕터의 시그널라인이 지나게 됩니다.

 

 

그런데 cmos공정에서 제가 알기로 트렌지스터는 substrate에 p와 n을 도핑해서 만드는 것으로 알고있는데 그렇다면 트랜지스터의 물리적 높이는 M1보다 낮다고 생각하고 있습니다.

 

여기서 생기는 의문인데 cmos 웨이퍼에서 진짜 ground는 어디있는건가요?

만약 m1이 ground라면 웨이퍼 전체에 걸쳐서 m1을 깔아야하는데 그렇다면 다른 커페시터나 전송선로나 트랜지스터. 트렌스포머 등 많은 소자에 의도하지 않은 기생커패시터가 생겨서 문제가 될거라고 생각합니다.

 

그래서 처음 했던 추측은 substrate밑에 real ground가 깔려있고 인덕터의 M1 ground는 비아로 연결되있다고 생각했습니다.

그런데 구글 검색해도 sub밑에 금속이 있는것 같지는 않더라구요.

또한 sub도 유전체라고 할수없는게 지멘스가 10정도로 작아서 그렇지 금속에 속한다고 생각했구요.

 

그래서 두번째 추측은 웨이퍼 밖에 ground를 접속한다고 생각했는데 그렇다면 칩 중간까지 ground를 연장해줘야하는데 이것도 결국 고주파에서는 전송선로의 효과가 생겨서 아니라고 생각했구요.

 

 

FET 트랜지스터도 body가 Vdd나 gnd에 연결해야하는데 반도체웨이퍼에서 ground는 어디 위치하는지 궁금합니다.

구글링을 해도 검색방법이 잘못되었는지 원하는 답을 얻기가 힘드네요..