GAA Finfet

P-Mos 는 Si-Ge

N-Mos 는 p-doping

으로 CMOS만들었는데 기존 공정에서 크게 뒤엎을거는 없다고 하네요..

사견으로는  Si-Ge epitaxy layer 증착에서 수율깨지고 Epitaxy 공정도 돈 어마무시하게 들어갈텐데..

만약에라도 7nm는 GG치고

3nm 에서 GAA-Finfet으로 역전을한다면? 

꿈이였나요 ㅋㅋ

 

 

 

 

((출처))

https://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/devices/intels-stacked-nanosheet-transistors-could-be-the-next-step-in-moores-law