GAA Finfet
P-Mos 는 Si-Ge
N-Mos 는 p-doping
으로 CMOS만들었는데 기존 공정에서 크게 뒤엎을거는 없다고 하네요..
사견으로는 Si-Ge epitaxy layer 증착에서 수율깨지고 Epitaxy 공정도 돈 어마무시하게 들어갈텐데..
만약에라도 7nm는 GG치고
3nm 에서 GAA-Finfet으로 역전을한다면?
꿈이였나요 ㅋㅋ
((출처))
https://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/devices/intels-stacked-nanosheet-transistors-could-be-the-next-step-in-moores-law