http://www.patentlyapple.com/patently-apple/2016/12/kaist-ip-sues-samsung-for-using-finfet-technology-in-their-next-gen-processors.html
KAIST IP claimed that it had proposed the technology to both Samsung Electronics and Intel, upon which Samsung invited Lee to carry out a presentation for the company's engineers. Intel obtained licenses of the technology for its product. KAIST IP claims that Samsung, on the other hand, turned down the proposal but later developed its own technology that KAIST alleges is identical to Finfet.
요는 삼성한테 기술을 판다고 제안을 했는데 그걸 거절하고 자기들 기술력으로 표절해서 만들었다.
그정도로 보면 편하겠네요. 근데 이 바닥은 원래 너 고소가 일상적이라서 크게 놀랍지도 않습니다.
생각 난 김에 Multigate 부분을 찾아보니 이런 게 보이더라구요.
이런 걸 보고 있자고 하니 어떻게든 미꾸라지처럼 특허 침해를 빠져나가려는 모습이 보이네요.
그러고보니 FinFET이랑 Tri-gate랑은 약간 다른 점이 있다는 것도 놀랍군요.
FinFET은 Source-Drain 사이에 절연체를 더 쌓아놓아서 엄밀히 말하면 gate가 2개라고 보는 것 같네요.
아닌가?
반도체가 이게 가능할 정도로 간단한 분야는 아니겠지만, 다른 사업에서는 많이들 보이는 사례니..