TSMC 3nm 공정이 에상보다 빠르게 진행 중

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참고/링크	https://news.mydrivers.com/1/740/740787.htm

TSMC 3nm 공정이 에상보다 빠르게 진행 중입니다. 올해 하반기에 시험 생산, 2022년에 공식 양산입니다.

삼성은 3nm에서 GAA를 적극 도입하지만 TSMC의 1세대 3nm 공정은 여전히 FinFET 기반입니다. 그래도 5nm와 비교하면 트랜지스터 밀도가 70% 향상되고 속도가 11% 늘어나거나 전력 사용량을 27% 낮출 수 있습니다.

앞으로 갈수록 EUV가 중요해지고 있습니다. EUV는 생산량과 출력을 해결해야 하는데요. TSMC는 EUV 광원 출력을 350W까지 높였고 5nm 뿐만 아니라 1nm 공정에서도 사용할 수 있으리라 봅니다.

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NVDIMM-P 비휘발성 메모리 표준 발표, DDR4와 호환 2021.02.20by 낄낄

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Comments '4'

boboarea 2021.02.20 19:03

삼성이 바짝 쫓아오니 TSMC는 더 많은 연구 개발비를 쏟아내고 더 빨리 기술 격차를 내려는 걸로 보임
삼성이 무섭기 무섭나 보넹 TSMC는 많은 수익을 내지만 연구 개발비 양산까지 많은 돈을 쓰고 ㅋ
cowper 2021.02.20 20:18

ASML 싱글벙글 인가요...
?
recluse 2021.02.21 22:32

삼성이야 바짝 따라가고 싶어도 EUV 노광기 개수가 압도적으로 밀리니 원...
캐츄미 5700g, 5800x, 5950x 2021.02.22 13:08

삼성이 따라가려고 EUV도 그렇고 GAA도 그렇고 선제적으로 가긴하는데
따라잡지 못하고 오히려 벌어지는것처럼 보이는거 보면 TSMC 대단한거 같아요

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