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참고/링크 https://www.digitimes.com/news/a20200921PD211.html

TSMC는 2022년 하반기에 3nm 노드의 양산을 시작합니다. 하지만 다른 회사들이 쓴다고 밝혔던 GAAFET의 도입은 2023년의 2nm 공정에서나 이루어지게 됩니다. 

 

FinFET는 이제 곧 물리적인 한계에 도달하게 되며, 3nm 이후의 트랜지스터에서는 새로운 설계가 필요합니다. 현재로선 유일한 대안이 GAAFET처럼 보입니다. 인텔은 7nm에 GAAFET를 구현하려고 했다가 수율이 너무 안나와 결국 포기하고 2023년으로 연기한바 있습니다. 삼성은 3nm GAAFET로 TSMC를 추월하려 했지만 TSMC보다 수율이 낮다고 합니다. 

 

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  • ?
    BOXU 2020.09.23 04:32
    표면적을 극한까지
  • ?
    카스티코 2020.09.23 08:01
    예정대로 잘 진행이 되고 있나보네요
  • profile
    title: 명사수Semantics      ꉂꉂ(ᵔᗜᵔ*) 2020.09.23 09:08
    나노 다음에 어떤 걸 쓰려나요..
  • profile
    title: 하와와까마귀      잠을 미루는 건 내일이 오지 않길 바래서야. 2020.09.23 12:43
    삼성은 7nm euv 때도 그렇고 무리해서 공돌이 갈아넣어서 해결하려다가 낭패를 보네요
  • ?
    아유무 2020.09.23 23:43
    디지타임스면 걸러야 ㅎㅎㅎ
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    skymont 2020.09.24 12:38
    인텔의 무모함은 어디까지...
    7nm에 처음으로 EUV 노광 적용, 거기에 GAAFET 적용?을 하니까 7나노에서 공정이 연기 될 수 밖에 없죠...

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