삼성이 과도기적인 공정인 4nm를 취소하고, 5nm FinFET 이후에 바로 3nm GAAFET로 건너간다는 소문입니다. 

 

삼성 4nm는 2021년에 양산될 예정이었으며, 5nm를 개선한 공정이기도 합니다. 하지만 3nm의 개발이 순조롭기에 중간에 4nm를 끼워 넣을 이유가 없다고 판단했다네요.

 

3nm는 7nm FinFET에 비해 소비 전력은 50% 줄어들고, 성능은 30% 개선됩니다. 

 

TSMC의 3nm는 1세대에서도 여전히 FinFET를 사용합니다. GAAFET의 도입은 2세대 부터일듯.