SK 하이닉스가 차세대 3DS와 HBM DRAM을 위해, Invensas가 개발한 DBI 울트라 인터커넥트를 라이센스했습니다.
이를 사용해 최대 16개의 Hi-Hi 칩 어셈블리를 비롯, 다수의 레이어를 적층한 SoC를 만들 수 있습니다.
1µm의 작은 인터커넥트 피치를 사용, 1제곱mm당 최대 백만개의 인터커넥트를 제공하는 웨이퍼 하이브리드 본딩 인터커넥트 기술입니다. 이를 사용하면 기존에 8개의 칩을 적층하던 공간에 16개의 칩을 적층, 용량을 더 높일 수 있습니다.