인텔이 22FFL 공정을 사용해서 RRAM을 생산합니다. 22FFL은 22nm와 14nm FinFET 공정을 결합해 만든 개선형 공정으로, FFL의 L은 Low Leakage, 누설 전류가 낮다는 의미입니다. 트랜지스터 밀도는 1880만개/제곱mm로 22nm 공정보다 조금 나은 수준이나, 누설 전류가 낮고 제조 원가가 저렴합니다.
인텔은 원래 22FFL 공정을 사용해 MRAM(자기 저항 RAM)을 만든다고 발표했고, 이번에는 22FFL 공정으로 RRAM(가변 저항 RAM)을 만든다고 발표했습니다. MRAM이건 RRAM이건 성능이 우수하고 레이턴시가 낮으며 수명이 매우 길다는 장점이 있습니다. 쓰기 수명이 만번에 달하며 고온도 잘 견뎌 10년의 수명을 지녔습니다. 다만 지금 용량은 256Mb, 512Mb, 1Gb 정도로 그리 크지 않습니다.