좀 된 글인데 전문을 다 올릴까 하다가 늦어버렸네요. 그냥 요약해서 올립니다.
마이크론은 3세대 3D 낸드 플래시 메모리까지 플로팅 게이트 방식의 메모리 셀을 개발했으나, 4세대부터는 차지 트랩 방식으로 바꿉니다. 그 뒤에는 낸드 플래시 메모리 개발을 함께 해온 인텔과의 결별이 있지요. 3세대까지 인텔과 공동 개발이라면 4세대부터는 마이크론 독자 개발입니다.
마이크론의 4세대 기술은 CMOS under Array 기술과 새로운 차지 트랩 기술을 조합한다고 설명됐습니다.
CMOS 언더 어레이는 인텔과 마이크론이 3D 낸드 플래시 양산에 도입한 기술로, 주변 회로와 메모리 셀 어레이를 적층해 실리콘 다이 면적을 줄이는 기술입니다. 실리콘 다이 면적이 줄어들면 실리콘 웨이퍼 1장에 들어가는 실리콘 다이의 수가 늘어나고, 실리콘 다이 제조 비용이 줄어듭니다.
novel charge trap cell technology가 차지 트랩입니다. 3D 낸드 플래시 메모리 셀은 차지 트랩과 플로팅 게이트의 두가지 기술이 있습니다. 차지 트랩은 삼성, 도시바-웨스턴 디지털, SK 하이닉스가 쓰며, 플로팅 게이트는 인텔-마이크론 뿐이었습니다. 차지 트랩은 메모리 셀 구조가 간단해 만들기 쉽고, 플로팅 게이트는 고온 특성이 유리합니다. 차지 트랩 진영은 신뢰성이 확보됐다고 주장하고, 플로팅 게이트 쪽에선 비용 경쟁력이 충분하다고 주장하지만.
현재 플래시 메모리에서 중요한 건 제조 비용 감소(저장 밀도 향상)이며, 3D 낸드 플래시 실현 기술에서 이것이 가장 어렵습니다. 장기 신뢰성 유지도 중요하지만 현실에선 재기록 수명이 계속해서 줄어들고 있습니다. 즉, 비용 절감이 수명보다 더중요하다는 것입니다. 바꿔 말하면 신뢰성을 희생해서라도 제조 비용을 낮추는 게 3D 낸드 개발의 기본 방침이라는 이야기가 됩니다. 그래서 마이크론은 플로팅 게이트를 버리고 차지 트랩으로 건너탔다고 봐야 할 겁니다.
마이크론의 4세대 낸드 플래시 메모리는 3세대보다 쓰기 처리량이 30% 향상되고, 1비트 기록에 들어가는 에너지가 40% 줄어듭니다. 워드라인 적층에 대해서는 알려지지 않았으나 128층이 유력합니다.
그리고 인텔과 공동 개발한 3D XPoint 메모리의 경우 인텔은 적극적으로 보급에 나서고 있는데 마이크론은 그렇지 않습니다. 3D XPoint를 아예 포기하고 3세대 3D 낸드 개발에 집중할거란 관측도 있습니다.
새로운 규격의 메모리로 시장 확보 하는게 쉽지 않은 문제도 있는 듯 하고요.