플래시 메모리 서밋에서 진행한 SK 하이닉스의 키노트 내용입니다. 

 

 

우선 3D 낸드 플래시 기술을 봅시다. SK 하이닉스는 차지 트랩이 플로팅 게이트에 비해 셀의 크기가 작고, 속도가 빠르고, P/E 수명이 더 길다고 설명합니다. 

 

사실 삼성이 2013년에 내놓은 1세대 V 낸드도 차지 트랩이었지요. 마이크론/인텔은 플로팅 게이트이긴 한데 이쪽은 3D XPoint 쪽에 신경을 쓰고 있고.

 

 

그리고 세계 최초의 4D 낸드 플래시 메모리를 내놓을것이라고 밝혔습니다. 칭화 유니의 Xtacking과 좀 비슷한데, PUC, Peri, 회로 등을 셀 유닛 아래에 넣어 칩의 면적을 줄이고 처리 공정에 들어가는 시간을 줄이며 제조 원가를 낮춘다고 합니다. 

 

처음으로 만들어지는 4D 낸드 기술의 V5 512Gb TLC는 96단 적층에 I/O 속도는 1.2Gbps(ONFI 4.1 표준)의 스펙을 갖추고 13제곱mm의 크기로 4분기에 샘플이 나옵니다. BGA 패키징하면 1Tb(128GB) 용량이 나옵니다. 2.5인치의 U.2 SSD라면 64TB가 되겠죠. 내년 상반기에 나올 예정. 

 

V5 4D는 V4 3D에 비해 면적이 20% 줄어들고 읽기 속도는 30%, 쓰기 속도는 25% 빠릅니다. 그리고 V5 4D로 QLC 낸드도 만듭니다. 96단 적층, 다이 하나의 용량은 1Tb. 내년 하반기에 샘플 출시.

 

 

4D 낸드는 128단 적층까지도 발전할 예정입니다. 그럼 칩 하나로 512GB가 나오죠. 2025년에는 8TB도 실현할 수 있을 것입니다. 

 

현재 SK 하이닉스의 3D 낸드는 72단 적층에 용량은 512Gb(64GB)입니다.