파나소닉은 2013년에 세계 최초로 ReRAM을 상용화했습니다. 8비트 마이크로 컨트롤러의 임베디드 메모리에 ReRAM을 도입해, 기존의 임베디드 플래시 메모리와 표준 EEPROM을 겸하는 비휘발성 메모리로 사용했습니다. 제조 공정은 180nm, 기억 용량은 최대 64KB.

 

2015년엔 180nm 공정에서 저장 용량을 512KB로 늘린 기술을 개발했습니다. 재기록 횟수도 120만번으로 10배 이상 늘었지요. 이 기술은 후지쯔와 공동 개발한 4Mbit ReRAM에 사용해 후지쯔 반도체가 판매했습니다. 

 

 

이후엔 제조 공정을 40nm로 대폭 미세화한 차세대 ReRAM 기술을 개발했습니다. 2015년 6월에는 벨기에의 imec와 공동 개발한 40nm ReRAM을 발표, 2Mbit의 ReRAM 매크로를 만들었습니다.

 

그리고 대만의 파운드리인 UMC와 함께 40nm ReRAM 양산 기술도 개발합니다. 이번 IMW 2018에서는 그 개발 성과의 일부를 발표했습니다. 양산은 2019년. 저장 용량은 1MB로 2015년에서 2배로 올랐습니다.

 

 

ReRAM의 메모리 셀은 1개의 MOS FET과 1개의 기억 소자(저항 변화 소자 RSE : Resistive Switching Element)로 구성됩니다. RSE는 MOS FET이 아닌 다층 금속 배선 사이에 삽입합니다. 구체적으로는 M2 배선과 M3 사이입니다. 이렇게 한 이유는 대형 마이크로 컨트롤러나 SoC에 사용하기 위해서입니다.

 

 

10만번의 재기록 사이클과 1만번의 재기록 후 85도에서 10년 동안 데이터 보존이 가능했음을 확인했습니다. 다만 쓰기 속도, 다이 면적 등에 대해서는 공개하지 않았습니다.