샌디스크가 인베스터 데이 2025에서 발표한 것들입니다. 

 

샌디스크 고대역 플래시 메모리 HBF를 개발했습니다. 

https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/sandisks-new-hbf-memory-enables-up-to-4tb-of-vram-on-gpus-matches-hbm-bandwidth-at-higher-capacity

 

16개의 3D 낸드 BiCS8 다이를 TSV를 써서 적층하고, 로직 층에서는 메모리 서브 시스템에 병렬 액세스가 가능하도록 구현했습니다. 이를 통해 HBM보다 8~16배 더 큰 용량을 달성할 수 있으며, 8개의 HBF 스택으로 4TB의 메모리를 구현합니다. 

 

HBM이 비싸고 공급도 딸리니까 낸드를 써서 용량을 늘리겠다는 건 알겠는데, 그 '고대역'이 얼마나 되는지는 발표하지 않았네요. 

 

 

 

또 BiCS8 218단 낸드 플래시 메모리를 쓴 드라이브도 공개했습니다. 

https://www.guru3d.com/story/sandisk-2025-ssd-new-bics8-218-layer-nand-flash-drives-unveiled/

 

DC SN670은 울트라QLC 기술, PCIe 5.0, 122.88TB와 61.44TB의 두 가지 구성, 순차 읽기 7%/순차 쓰기 27%/랜덤 읽기 68%/랜덤 쓰기가 55% 개선됐다고 합니다. 

 

클라이언트의 경우 PC SN5100S가 있습니다. M.2 2230 폼펙터, PcIE 4.0 인터페이스, 512GB부터 2TB 용량, 랜덤 읽기 53%/랜덤 쓰기 44% 향상, QLC 메모리입니다. 

 

고성능 모델도 함께 나옵니다. M.2 2280, TLC 낸드, PCIE 5.0 인터페이스, 512GB부터 4TB 용량, 최고 14500MB/s의 읽기, 14000MB/s의 쓰기 속도를 냅니다. 그리고 전력 사용량이 7W로 매우 효율적이라고 합니다. 

 

3xx단의 1TB TLC BiCS 메모리는 저장 밀도가 59% 늘어나고 전송 속도는 30%, 쓰기/읽기 대역폭이 각각 18%와 10% 향상됩니다.