SK 하이닉스는 원래 5nm 공정을 사용해 2025년에 출시할 HBM4의 베이스 다이를 생산하려 했으나 이를 TSMC 3nm 공정으로 변경할 것이라고 합니다. 

 

5nm 베이스 다이와 비교하면 3nm 베이스 다이는 20~30%의 성능 향상을 가져올 것으로 예상됩니다. 다만 HBM4나 HBM4 메모리 칩은 여전히 12nm 공정을 사용합니다. 

 

SK 하이닉스는 HBM3E까지는 자사의 베이스 다이 기술을 사용했으나 HBM4에서는 TSMC 3nm로 갈아탑니다. 이렇게 하면 4nm 공정을 쓰는 삼성보다 더 높은 성능을 낼 것으로 보입니다. 

 

이러면 다른 회사들의 TSMC 물량은 더 쪼그라들지 않을까 무섭군요.