SK 하이닉스가 SK AI 서밋 2024에서 세계 최초로 16단 적층 HBM3E 메모리를 공개했습니다. HBM 하나로 48GB를 달성하며, 6큐브는 288GB, 8큐브는 384GB의 대용량을 구축할 수 있습니다. 샘플은 내년 초에 공급됩니다.
이것 외에도 12단 제품 양산에 사용하는 Advanced MR-MUF 공정으로 16단 HBM3E를 생산하고, LPCAMM2 모듈, 1cnm 공정의 LPDDR5/LPDDR6 개발, PCIe 6.0 SSD, 대용량 QLC 낸드 플래시를 쓴 eSSD와 UFS 5.0을 준비 중이며, HBM4 세대부터는 베이스 다이에 로직 공정을 도입할 것이라고 예고했습니다.