'퀄 통과 성사되나' 엔비디아, 삼성 HBM 공장 실사...삼성 반도체 대추격전 [FN 테크인사이드]

https://www.fnnews.com/news/202502121140101855

 

12일 본지 취재 결과 엔비디아는 이달 6일 천안 캠퍼스를 찾아 실사를 진행했고, 이에 앞서 지난해 말에도 해당 공장을 방문했다. 당시, 실사 후 한 때 삼성의 퀄 테스트 통과 소문이 나기도 했다. 업계 관계자는 "엔비디아가 다음 달에 다시 한 번 방문할 것으로 안다"고 전했다.

 

최근 기사에 따르면 : https://zdnet.co.kr/view/?no=20250210164808

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삼성전자가 지난해 하반기부터 최첨단 D램의 재설계를 칩 사이즈를 키우는 방향으로 진행 중인 것으로 파악됐다. 생산성과 성능 보다는 '수율(투입품 대비 양품 비율)'에 무게를 둔 전략

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으로 바꿨고,

 

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한편, 비슷한 이유에서 1b D램의 일부 제품도 수율 향상을 위한 재설계가 이뤄지고 있다. 현재 서버용 32Gb(기가비트) 1b D램 제품의 수율을 양산 수준인 70~80%대까지 끌어올리는 작업이 진행 중인 것으로 알려졌다.

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1c램은 차세대 램으로 공정 개발중인 것이고, 1b램은 양산하고 있는 램이죠.

이미 양산되는 램을, 공정을 약간 후퇴시켜서 수율을 올리는 작업을 했다고 추정되고

 

그렇기 때문에 무난히 통고할 것이라고 저는 생각이 드네요

 

 

제가 정확히 이해했는지 불명확하지만

https://library.techinsights.com/public/sectioned-blog-viewer/a0e24d07-f721-4346-a58c-73786f397dbd?b=banner3

이 사이트 자료에 따르면

 

새로운 다이의 비트 밀도는 0.436Gb/mm2이며 다이 크기는 36.68mm2입니다. 삼성은 DRAM 셀 크기를 크게 줄여 SK하이닉스 D1b 및 마이크론 D1β보다 더 작아졌습니다. 삼성 D1b 워드라인과 비트라인 피치는 TEM 기준으로 각각 32.6nm와 37.6nm입니다. 7.8F2 DRAM 셀 크기(0.00123 µm2)에서 추출한 셀 설계 규칙(D/R) 또는 피처 크기(F)는 12.54nm로 삼성 D1b DRAM이 12nm 중반급임을 의미합니다. SK하이닉스 D1b DRAM 셀 크기와 피처 크기는 각각 0.00125 µm2와 12.65nm(12nm급)입니다. 마이크론의 D1β는 0.00133 µm2 셀 크기와 13.04nm(13nm급) 피처 크기를 보여줍니다.

 

라고 되어 있습니다. 밀도를 낮추면 단가는 올라가지만 수율은 잡기 쉽다는 게 저 같은 무지렁이의 생각입니다.