삼성이 텍사스주 오스틴에 100억 달러를 투자해 3nm 공정 반도체 생산 시설을 만듭니다. 언제부터 이 시설이 가동될지는 모르나 2024년이나 2025년은 되야 3nm EUV가 나올 듯 합니다.
TSMC가 3nm에서도 FinFET를 유지하지만 삼성은 GAAFET를 도입합니다. FinFET보다 등장 시기는 늦으나 열/전력 효율이 더 높으리라 기대됩니다.
참고/링크 | https://www.ithome.com/0/531/647.htm |
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삼성이 텍사스주 오스틴에 100억 달러를 투자해 3nm 공정 반도체 생산 시설을 만듭니다. 언제부터 이 시설이 가동될지는 모르나 2024년이나 2025년은 되야 3nm EUV가 나올 듯 합니다.
TSMC가 3nm에서도 FinFET를 유지하지만 삼성은 GAAFET를 도입합니다. FinFET보다 등장 시기는 늦으나 열/전력 효율이 더 높으리라 기대됩니다.